可靠性試驗的定義與重要性
可靠性試驗是一種系統化的測試流程，通過模擬芯片在實際應用中可能遇到的各種環境條件和工作狀態，對芯片的性能、穩定性和壽命進行全面評估。
芯片可靠性試驗的主要類型
環境試驗環境試驗是芯片可靠性試驗的重要組成部分，主要用于評估芯片在不同環境條件下的適應性和穩定性。常見的環境試驗包括高溫工作壽命（HTOL）、低溫工作壽命（LTOL）、溫度循環（TCT）和高加速溫濕度應力試驗（HAST）等。
1）高溫工作壽命（HTOL）試驗 HTOL試驗是一種經典的芯片可靠性測試方法，通過將芯片置于高溫環境中長時間運行，模擬實際使用中的熱應力和老化過程。測試溫度通常在100°C至150°C之間，持續時間可根據芯片規格和應用需求進行調整。在高溫條件下，芯片的電氣特性、性能和可靠性會被實時監測和記錄。通過HTOL試驗，可以檢測到由于熱擴散、結構破壞或材料衰變等原因引起的故障，如電阻變化、電流漏泄、接觸不良和金屬遷移等。這些故障模式的發現有助于評估芯片在高溫環境下的長期可靠性，并為改進設計和制造工藝提供重要參考。
2）低溫工作壽命（LTOL）試驗 LTOL試驗則專注于評估芯片在低溫條件下的可靠性和壽命。在一些極端應用場景，如航空航天、軍事和醫療等領域，芯片可能需要在極低溫度下正常工作。LTOL試驗通過在低溫環境下對芯片進行加速老化測試，幫助制造商了解芯片在低溫環境下的穩定性。測試過程中，芯片的電氣性能和可靠性會被詳細記錄和分析，以確保其能夠在極端低溫條件下保持正常功能。
3）溫度循環（TCT）試驗 TCT試驗旨在模擬芯片在實際使用中因溫度變化而產生的熱應力和材料疲勞。測試過程中，芯片會在不同溫度之間進行循環暴露，通常在低溫（如-40°C）和高溫（如125°C）之間切換
4）高加速溫濕度應力試驗（HAST） HAST試驗是一種加速老化測試方法，通過將芯片置于高溫高濕的極端環境中（通常為85°C和85%相對濕度），并施加電壓或電流，以加速芯片的老化過程。這種測試方法可以在較短時間內模擬芯片在實際使用中的長期老化情況，提前發現潛在的故障和問題。HAST試驗的優點是加速老化速度快，能夠在短時間內獲得芯片的可靠性信息，并且可以提供更大的濕度差異，更好地模擬實際應用中的濕度環境。
2.壽命試驗壽命試驗是芯片可靠性試驗的另一重要類別，主要用于評估芯片在長期使用過程中的性能變化和失效機制。常見的壽命試驗包括高溫工作壽命（HTOL）、高溫存儲壽命（HTSL）和偏壓壽命試驗（BLT）等。
（1）高溫存儲壽命（HTSL）試驗 HTSL試驗通過將芯片長時間存放在高溫環境中（通常為125°C到175°C），評估芯片在高溫存儲條件下的可靠性和壽命。與HTOL試驗不同，HTSL試驗中芯片處于非運行狀態，主要用于模擬芯片在高溫存儲過程中的老化情況。通過HTSL試驗，可以確定芯片在高溫環境下的長期可靠性，為芯片的存儲和運輸條件提供重要參考。
（2）偏壓壽命試驗（BLT） BLT試驗用于評估芯片在長期偏置和高溫環境下的穩定性和可靠性。在測試過程中，芯片會被施加恒定的偏置電壓，并暴露于高溫環境中。偏置電壓的大小通常根據芯片規格和應用需求進行設定。通過監測和記錄芯片在持續高溫和偏置條件下的特性、性能和可靠性變化，可以檢測到由于偏壓和高溫引起的偏壓老化效應，如硅介質損失、界面陷阱形成和能帶彎曲等問題。BLT試驗的結果為芯片在長期使用和高溫環境下的可靠性評估提供了重要依據。
3.機械與電氣試驗除了環境和壽命試驗外，芯片可靠性試驗還包括機械試驗和電氣試驗，用于評估芯片在物理沖擊、振動和電氣應力條件下的性能和穩定性。
（1）跌落測試（DT） 跌落測試用于評估芯片在物理沖擊和振動環境下的穩定性和可靠性。測試過程中，芯片會被安裝在特制的跌落測試設備上，并進行控制的跌落或震動操作。測試設備通常會產生嚴格定義的沖擊或振動力度、方向和頻率，以模擬實際使用中可能遇到的物理應力。通過跌落測試，可以檢測到由于跌落或震動引起的連接斷裂、結構損壞和材料破裂等問題。測試結果為芯片在實際使用條件下的抗沖擊和抗振動能力評估提供了重要參考。
（2）靜電放電（ESD）測試 ESD測試是評估芯片在靜電環境下的抗干擾能力和可靠性的重要試驗。靜電放電是由于絕緣體表面相互摩擦或分離而產生的非平衡電荷。當這些靜電荷從一個表面轉移到另一個表面時，會在短時間內形成高電壓脈沖電流。金鑒實驗室擁有先進的抗靜電能力自動測試系統，能夠為各類電子元器件提供全面的靜電放電（ESD）測試服務，確保產品在實際應用中的可靠性和穩定性。ESD測試通常采用人體放電模型（HBM）和帶電器件模型（CDM）兩種方式，模擬人體和生產設備中的靜電放電事件，以評估芯片在靜電環境下的抗干擾能力和可靠性。
（3）閂鎖測試（Latch-up） 閂鎖測試是一種評估芯片在極端環境下是否會出現意外斷電等異常情況的測試。測試過程中，會在芯片的電源輸入端加入一個電壓保護器，然后通過高速開關控制電源輸入端的電源開關，模擬突然斷電的情況，以測試芯片在此情況下的表現和恢復能力