AEC-Q200產品測試條件制定依據
主要是依據MIL-STD-202與JEDEC22A-104規范來制定的，不同零件的試驗溫度除了不一樣之外，其施加電源(電壓、電流、負載)要求也會有所不同。高溫儲存屬于不施加偏壓與負載，但是在高溫工作壽命就需要。溫度循環與溫度沖擊，其試驗目的與手法不一樣，在溫度循環中高低溫變化需控制溫變率，溫度沖擊則不用，偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗，而濕度抵抗就是濕冷凍試驗。
AEC-Q200產品測試注意事項
1000h試驗過程需在250h、500h進行間隔量測
AEC-Q200檢測機構
AEC-Q200各試驗項目產品測試條件
1. AEC-Q200高溫儲存(MIL-STD-202-108) 測試條件
薄膜電容、網路低通濾波器、網路電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h
電感、變壓器、電阻：125℃/1000h
變阻器：150℃/1000h
鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：最大額定溫度/1000h
2. AEC-Q200高溫工作壽命(MIL-STD-202-108) 測試條件
網路低通濾波器、網路電阻：85℃/1000h
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h/施加額定IL
鉭電容、陶瓷電容：最大額定溫度/1000h/ (2/3)負載/額定電壓
鋁電解電容、電感、變壓器：105℃/1000h
薄膜電容：1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/100%額定電壓)
自恢復保險絲：125℃/1000h
電阻、熱敏電阻、可變電容：125℃/1000h/額定電壓
可變電阻：125℃/1000h/額定功率
變阻器：125℃/1000h/額定電壓85％+ma電流
陶瓷共鳴器：85℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
石英振蕩器：125℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
3. AEC-Q200溫度循環(JEDEC22A-104) 測試條件
薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
鋁電解電容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
電感、變壓器、變阻器、石英振蕩器、自恢復保險絲：-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
網路低通濾波器、網路電阻：-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
AEC-Q200產品測試條件
4. AEC-Q200溫度沖擊(MIL-STD-202-107) 測試條件
自恢復保險絲：-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles
5. AEC-Q200偏高濕度(MIL-STD-202-103)測試條件
鉭電容、陶瓷電容：85℃/85%R.H./1000h/電壓1.3～1.5V
電感&變壓器：85℃/85%R.H./1000h/不通電
鋁電解電容：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓＆電流
電阻、熱敏電阻：85℃/85%R.H./1000h/工作電源10%
自恢復保險絲：85℃/85%R.H./1000h/額定電流10%
可變電容、可變電阻：85℃/85%R.H./1000h/額定功率10%
網路低通濾波器&網路電阻：85℃/85%R.H./1000h/電壓[網路電容(額定電壓)、網路電阻(10%額定功率)]
變阻器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓85％+ma電流
石英振蕩器、陶瓷共鳴器：85℃/85%R.H./1000h/額定VDD+1MΩ，并聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
薄膜電容：40℃/93%R.H./1000h/額定電壓
6. AEC-Q200濕度抵抗(MIL-STD-202-106)測試條件
薄膜電容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2循環)/18h→-10℃/3h，每一循環共24h，step7a&7b不通電
AEC-Q200產品測試條件
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